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    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订45个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数5000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数5000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订66个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订66个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数75000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数75000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数21000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数21000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数3000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数3000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数250个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数250个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936ADY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:18W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订300个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N03D2 起订300个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N03D2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:873pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:18W€2.3W

    连续漏极电流:10.5A€16A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:945pF@15V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:18W€2.3W

    连续漏极电流:10.5A€16A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:945pF@15V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数75000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042L-7 起订数75000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:720mW

    阈值电压:1.4V@250μA

    连续漏极电流:5.8A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:860pF@15V

    导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:18W€2.3W

    连续漏极电流:10.5A€16A

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:945pF@15V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:20nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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