品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2057}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6431-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K1T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008NBKVL
工作温度:150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.68nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7900,"13+":16000,"14+":71789,"19+":24000,"9999":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LN01SS-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000,"14+":6000,"17+":117000,"20+":10242}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.5pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:10.4Ω@50mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J5TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N24TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:145mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":80000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EC4401C-TL
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@80mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.5pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:10.4Ω@50mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":165000,"12+":1000,"16+":9000,"18+":28421,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LP01C-TB-E
工作温度:150℃
功率:250mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.5pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:10.4Ω@50mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: