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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 30V
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:2300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订502个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订502个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP250,135

    工作温度:150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03CP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订535个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订535个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSL020P03FRATR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSL020P03FRATR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8K11TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2057}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6431-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-TL-W 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-TL-W 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6341-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 EM6K1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EM6K1T2R

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP250,135

    工作温度:150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKVL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKVL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKVL

    工作温度:150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LN01SS-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7900,"13+":16000,"14+":71789,"19+":24000,"9999":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LN01SS-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"14+":6000,"17+":117000,"20+":10242}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-M-TL-W 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6341-M-TL-W 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8J5TR 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8J5TR 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8J5TR

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6E050ATTCR 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N24TU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N24TU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N24TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:245pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:145mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EC4401C-TL 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 EC4401C-TL 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":80000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EC4401C-TL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01M-TL-E 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":36000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01M-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01C-TB-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01C-TB-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":165000,"12+":1000,"16+":9000,"18+":28421,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01C-TB-E

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N57NU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N57NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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