品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20E60W5,S1VX
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:460pF@25V
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006PND3FRATL
功率:87W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6008ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W5,S1VF
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@300V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: