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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 600V
    包装方式: 管件
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:900+
    商品信息
    参数
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    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订525个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订525个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订150个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订150个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT47N60BC3G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT47N60BC3G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT47N60BC3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    类型:N沟道

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:7015pF@25V

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:47A

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R160P6XKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R160P6XKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPP60R160P6XKSA1

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:23.8A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:2080pF@100V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    阈值电压:4.5V@750µA

    导通电阻:160mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:176W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH072N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:481W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@26A,10V

    栅极电荷:215nC@10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:52A

    ECCN:EAR99

    输入电容:8660pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1

    功率:227W

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:109nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:50A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    输入电容:4354pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.25mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    功率:357W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:9620pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF

    栅极电荷:39nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.2A

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPP60R090CFD7XKSA1

    阈值电压:4.5V@570µA

    输入电容:2103pF@400V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:125W

    连续漏极电流:25A

    包装方式:管件

    栅极电荷:51nC@10V

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R299CPXKSA1 起订278个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R299CPXKSA1 起订278个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"12+":1500,"15+":15000}

    规格型号(MPN):IPI60R299CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:299mΩ@6.6A,10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    功率:96W

    阈值电压:3.5V@440µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:1100pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-35G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-35G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    输入电容:2154pF@100V

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.8V@250µA

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:37A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    输入电容:8000F@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:270nC@10V

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R299CPXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R299CPXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"12+":1500,"15+":15000}

    规格型号(MPN):IPI60R299CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:299mΩ@6.6A,10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    功率:96W

    阈值电压:3.5V@440µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:1100pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH22N60P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH22N60P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH22N60P3

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:22A

    输入电容:2600pF@25V

    包装方式:管件

    导通电阻:360mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    功率:500W

    阈值电压:5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R190P6XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R190P6XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPA60R190P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:20.2A

    导通电阻:190mΩ@7.6A,10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    输入电容:1750pF@100V

    阈值电压:4.5V@630µ

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU1N60APBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU1N60APBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFU1N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    功率:36W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:229pF@25V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7Ω@840mA,10V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF30N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF30N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):1psc

    规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:130nC@10V

    类型:N沟道

    功率:37W

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R041P6FKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R041P6FKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":13435}

    规格型号(MPN):IPZ60R041P6FKSA1

    阈值电压:4.5V@2.96mA

    连续漏极电流:77.5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:481W

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@35.5A,10V

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8180pF@100V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订353个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C 起订353个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:810pF@25V

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.5A

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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