品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT47N60BC3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
类型:N沟道
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:7015pF@25V
导通电阻:70mΩ@30A,10V
连续漏极电流:47A
阈值电压:3.9V@2.7mA
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP60R160P6XKSA1
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:23.8A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2080pF@100V
包装方式:管件
漏源电压:600V
阈值电压:4.5V@750µA
导通电阻:160mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
功率:176W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@26A,10V
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
输入电容:8660pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1
功率:227W
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:109nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:4354pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.25mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:9620pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF
栅极电荷:39nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1100pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP60R090CFD7XKSA1
阈值电压:4.5V@570µA
输入电容:2103pF@400V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:125W
连续漏极电流:25A
包装方式:管件
栅极电荷:51nC@10V
导通电阻:90mΩ@11.4A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1500,"15+":15000}
规格型号(MPN):IPI60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
连续漏极电流:11A
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:96W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
输入电容:2154pF@100V
导通电阻:99mΩ@21A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.8V@250µA
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
输入电容:8000F@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:270nC@10V
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1500,"15+":15000}
规格型号(MPN):IPI60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
连续漏极电流:11A
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:96W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH22N60P3
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:22A
输入电容:2600pF@25V
包装方式:管件
导通电阻:360mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
功率:500W
阈值电压:5V@1.5mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA60R190P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
连续漏极电流:20.2A
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1750pF@100V
阈值电压:4.5V@630µ
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU1N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:36W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:229pF@25V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:7Ω@840mA,10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
功率:37W
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":13435}
规格型号(MPN):IPZ60R041P6FKSA1
阈值电压:4.5V@2.96mA
连续漏极电流:77.5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@35.5A,10V
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8180pF@100V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP6N60C
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:810pF@25V
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
导通电阻:2Ω@2.75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: