首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    漏源电压
    包装方式
    行业应用
    栅极电荷
    32 nC @ 10 V 4.6nC@10V 42nC@10V 18 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 14.5nC@10V 14.3nC@10V 270 nC @ 10 V 134nC@10V 10.5nC@10V 26nC@10V 39nC@10V 90nC@10V 15.3nC@10V 9.4nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 79nC@10V 13.6nC@10V 13nC@10V 22nC@10V 130nC@10V 31nC@10V 125nC@10V 30nC@10V 197nC@10V 170nC@10V 40nC@10V 95nC@10V 112nC@10V 360nC@10V 270nC@10V 9nC@10V 15.6nC@10V 65nC@10V 25.5nC@10V 34nC@10V 23nC@10V 103nC@10V 28nC@10V 155nC@10V 18nC@10V 91nC@10V 62nC@10V 98nC@10V 145nC@10V 82nC@10V 84nC@10V 260nC@10V 58nC@10V 52nC@10V 37nC@10V 8nC@10V 210nC@10V 228nC@10V 9.5nC@10V 20.5nC@10V 80nC@10V 67nC@10V 62 nC @ 10 V 11nC@10V 135nC@10V 75nC@10V 225nC@10V 74nC@10V 15nC@10V 40 nC @ 10 V 17.2nC@10V 105nC@10V 114nC@10V 85nC@10V 51nC@10V 16 nC @ 10 V 139nC@10V 215nC@10V 25nC@10V 64nC@10V 121nC@10V 101nC@10V 77nC@10V 120nC@10V 19nC@10V 6.7nC@10V 220nC@10V 180nC@10V 17nC@10V 56nC@10V 100nC@10V 14nC@10V 20nC@10V 195nC@10V 27nC@10V 44nC@10V 32nC@10V 240nC@10V 6.2nC@10V 60nC@10V 21nC@10V 136nC@10V 36nC@10V 46nC@10V 86nC@10V 51nC 63nC@10V 1.1nC@10V 43 nC @ 10 V 55nC@10V 189nC@10V 47nC@10V 70nC@10V 52 nC @ 10 V 300nC@10V 10.5nC@15V 96nC@10V 12.5nC@10V 68nC@10V 49nC@10V 78nC@10V 16.6nC@10V 45nC@10V 107nC@10V 7.6nC@10V 50nC@10V 7.2nC@10V 190nC@10V 275nC@10V 29nC@10V 43nC@10V 16nC@10V 24nC@10V 181nC@10V 164nC@10V 48nC@10V 96 nC @ 10 V 227nC@10V 110nC@10V 330nC@10V 21.4nC@10V 37.5nC@10V 31nC 109nC@10V 39.5nC@10V 400nC@10V 19.8nC@10V 212nC@10V 119nC@10V 10.1nC@10V 380nC@10V 116nC@10V 52.3nC@10V 100nC@15V 289 nC @ 10 V 120nC@15V 151nC@10V 27.5nC@10V 500nC@10V 290nC@10V 650nC@10V 362nC@10V 35.6nC@10V 4.9nC@10V 347nC@10V 252nC@10V 410nC@10V 245nC@10V 51nC@12V 251nC@10V 83nC@12V 23.4nC@10V
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 600V
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXKN75N60C

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:560W

    阈值电压:3.9V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N60APBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N60APBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:410nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5348pF@100V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R180P7SXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R180P7SXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAN60R180P7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R199CPXKSA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R199CPXKSA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:3.5V@660µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:176mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4354pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R280P6XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R280P6XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@100V

    连续漏极电流:13.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R099C6XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R099C6XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R099C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.5V@1.21mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:119nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2660pF@100V

    连续漏极电流:37.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R299CPXKSA1 起订278个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R299CPXKSA1 起订278个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":18500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R037CSFDXKSA1 起订68个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R037CSFDXKSA1 起订68个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":97}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R037CSFDXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@1.63mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5623pF@400V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@32.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP170N60 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":766}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP170N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@380V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD02N60Z-1G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD02N60Z-1G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":25185,"12+":3000,"13+":675,"14+":326825,"15+":75,"18+":13350,"9999":75}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD02N60Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:274pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:347nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10900pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:524W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:228nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7612pF@100V

    连续漏极电流:99A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1 起订68个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1 起订68个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF03N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070C6FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070C6FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R070C6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:3.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3800pF@100V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@25.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT6025BVRG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT6025BVRG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT6025BVRG

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:275nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订752个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订752个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":8,"18+":267,"19+":565}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD01N60-1G 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD01N60-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧