品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:38.8A
包装方式:管件
导通电阻:74mΩ@19.4A,10V
功率:270W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:135nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:4100pF@300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
输入电容:1200pF@30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
功率:2W€40W
包装方式:管件
导通电阻:610mΩ@7A,10V
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
功率:40W
类型:N沟道
输入电容:1130pF@300V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31J60W,S1VQ
栅极电荷:86nC@10V
功率:230W
工作温度:150℃
连续漏极电流:30.8A
导通电阻:88mΩ@15.4A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3.7V@1.5mA
输入电容:3000pF@300V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
功率:2W€35W
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
连续漏极电流:6.9A
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:750pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":44800}
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
栅极电荷:39nC@10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:34.7W
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":1877}
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
栅极电荷:37.5nC@10V
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
输入电容:1450pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:38.8A
包装方式:管件
导通电阻:74mΩ@19.4A,10V
功率:270W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:135nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:4100pF@300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":44800}
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
栅极电荷:39nC@10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:34.7W
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:3.7V@3.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@300V
连续漏极电流:61.8A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:3.7V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4198FS
工作温度:150℃
功率:2W€30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@30V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4100pF@300V
连续漏极电流:38.8A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@19.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1877}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":44800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:34.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":44800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:34.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":40650,"11+":2819,"15+":14077,"9999":692,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4197FS
工作温度:150℃
功率:2W€28W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:260pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":44800}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:34.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3600}
销售单位:个
规格型号(MPN):WPB4002-1E
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":47186}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S7DPK-M0#T0
工作温度:150℃
功率:227.2W
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: