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    行业应用
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 600V
    类型: N沟道
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:1100+
    商品信息
    参数
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订525个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订525个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订150个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G 起订150个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    输入电容:2587pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    功率:329W

    包装方式:管件

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:38A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXKN75N60C 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXKN75N60C

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:560W

    阈值电压:3.9V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N60APBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB9N60APBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:176mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:410nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5348pF@100V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R180P7SXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAN60R180P7SXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAN60R180P7SXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG22N60E-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG22N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R199CPXKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R199CPXKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:3.5V@660µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG21N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2030pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:176mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R040CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R040CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4354pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R280P6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R280P6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R280P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@430µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@100V

    连续漏极电流:13.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R099C6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R099C6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R099C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:3.5V@1.21mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:119nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2660pF@100V

    连续漏极电流:37.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R299CPXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R299CPXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":18500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:278
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N60ZG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:972
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4099LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:750pF@30V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:144
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