品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":279}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
栅极电荷:86nC@10V
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1920pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1920pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":279}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":279}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R090CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1747pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: