采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€73W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@40V
连续漏极电流：14.8A€64A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT300N08S5N012ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：231nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16250pF@40V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D230-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A€5.1A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H848NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€73W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6591，"23+"：8740，"24+"：7297}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@40V
连续漏极电流：37A€331A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N08S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R2-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@40V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5，"18+"：300，"22+"：2540}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N08S403AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：4V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：167nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11550pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N011TATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：231nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16250pF@40V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF023N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@139µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：209A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N08S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：887，"20+"：1156，"MI+"：599}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2782pF@12V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF023N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@139µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：209A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
