采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3.02nF@1000V
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：297W
阈值电压：3.22V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：40.5mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEHRC11
工作温度：-55℃~+175℃
功率：262W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：297W
阈值电压：3.22V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：40.5mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：297W
阈值电压：3.22V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：40.5mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEHRC11
工作温度：-55℃~+175℃
功率：262W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEHRC11
功率：262W
阈值电压：1.6V
包装方式：Tube
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：1.2kV
栅极电荷：106nC
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
包装方式：Reel
功率：329W
栅极电荷：70nC
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：4.4V
漏源电压：1.2kV
导通电阻：52mΩ
ECCN：EAR99
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：297W
阈值电压：3.22V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：40.5mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：297W
阈值电压：3.22V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：40.5mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120053K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：34A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2232
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.154nF@800V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.9pF@800V
导通电阻：80mΩ@20V，20A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120053K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：34A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4SC120023K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：385W
阈值电压：6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：53A
类型：MOSFET
导通电阻：29mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4SC120030K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：341W
阈值电压：6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：53A
类型：MOSFET
导通电阻：39mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4SC120023K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：385W
阈值电压：6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：53A
类型：MOSFET
导通电阻：29mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
类型：1个N沟道
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
栅极电荷：37.8nC@15V
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
