包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MSCSM120SKM31CTBL1NG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2.8V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：232nC@20V

包装方式：散装

输入电容：3.02nF@1000V

连续漏极电流：79A

类型：1个N沟道

导通电阻：31mΩ@40A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120070K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：217W

阈值电压：6V@10mA

栅极电荷：37.8nC@15V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@800V

连续漏极电流：27.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：91mΩ@20A，12V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120053K3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：67mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120053K3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：67mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C120150K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：166.7W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：25.7nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：18.4A

类型：MOSFET

导通电阻：330mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：5V

栅极电荷：63nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：297W

阈值电压：3.22V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：40.5mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCT2080KEHRC11

工作温度：-55℃~+175℃

功率：262W

阈值电压：1.6V

ECCN：EAR99

栅极电荷：106nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4SC120023K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：385W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：53A

类型：MOSFET

导通电阻：29mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCT2080KEHRC11

工作温度：-55℃~+175℃

功率：262W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：106nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120053K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：67mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120053K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：67mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：GP2T040A120H

工作温度：-55℃~+175℃

功率：322W

阈值电压：4V@10mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：118nC@20V

包装方式：管件

输入电容：3.192nF@1000V

连续漏极电流：63A

类型：1个N沟道

导通电阻：52mΩ@40A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120070K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：217W

阈值电压：6V@10mA

栅极电荷：37.8nC@15V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@800V

连续漏极电流：27.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：91mΩ@20A，12V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120070K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：217W

阈值电压：6V@10mA

栅极电荷：37.8nC@15V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@800V

连续漏极电流：27.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：91mΩ@20A，12V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120070K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：217W

阈值电压：6V@10mA

栅极电荷：37.8nC@15V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@800V

连续漏极电流：27.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：91mΩ@20A，12V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120070K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：217W

阈值电压：6V@10mA

栅极电荷：37.8nC@15V

包装方式：管件

输入电容：1.37nF@800V

连续漏极电流：27.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：91mΩ@20A，12V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C120150K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：166.7W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：25.7nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：18.4A

类型：MOSFET

导通电阻：330mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：329W

阈值电压：4.4V

栅极电荷：70nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：51A

类型：MOSFET

导通电阻：52mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4C120053K3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：67mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：297W

阈值电压：3.22V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：40.5mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4SC120030K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：341W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：53A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4SC120030K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：341W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：53A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF4SC120030K4S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：341W

阈值电压：6V

栅极电荷：37.8nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：53A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVBG040N120M3S

工作温度：-55℃~+175℃

功率：297W

阈值电压：3.22V

ECCN：EAR99

栅极电荷：74.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：40.5mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1