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    漏源电压: 1.2kV
    工作温度: -55℃~+175℃
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    Microchip Mosfet场效应管 MSCSM120SKM31CTBL1NG 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSCSM120SKM31CTBL1NG 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSCSM120SKM31CTBL1NG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:232nC@20V

    包装方式:散装

    输入电容:3.02nF@1000V

    连续漏极电流:79A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:31mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订5个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订5个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订30个装
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订30个装

    品牌:SEMIQUARZ

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GP2T040A120H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:322W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3.192nF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订10个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订10个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订50个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订50个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订100个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订100个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订1个装
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订1个装

    品牌:SEMIQUARZ

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GP2T040A120H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:322W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3.192nF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订10个装
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订10个装

    品牌:MASPOWER

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MS12N120HJC0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:290W

    阈值电压:5.5V@250μA

    栅极电荷:85nC

    输入电容:3.15nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF

    导通电阻:2Ω@10V,1A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订1个装
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订1个装

    品牌:MASPOWER

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MS12N120HJC0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:290W

    阈值电压:5.5V@250μA

    栅极电荷:85nC

    输入电容:3.15nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF

    导通电阻:2Ω@10V,1A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG080N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG080N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2232

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBG080N120SC1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:179W

    阈值电压:4.3V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.154nF@800V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.9pF@800V

    导通电阻:80mΩ@20V,20A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订30个装
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订30个装

    品牌:MASPOWER

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MS12N120HJC0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:290W

    阈值电压:5.5V@250μA

    栅极电荷:85nC

    输入电容:3.15nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF

    导通电阻:2Ω@10V,1A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订120个装
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订120个装

    品牌:SEMIQUARZ

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GP2T040A120H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:322W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3.192nF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订数25个
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订数25个

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L080N120SC1 起订34个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L080N120SC1 起订34个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L080N120SC1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.75V@5mA

    栅极电荷:56nC@-5V/20V

    包装方式:管件

    输入电容:1.112nF@800V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:6.5pF@800V

    导通电阻:80mΩ@20V,20A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    类型:1个N沟道

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    栅极电荷:37.8nC@15V

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订90个装
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS12N120HJC0 起订90个装

    品牌:MASPOWER

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MS12N120HJC0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:290W

    阈值电压:5.5V@250μA

    栅极电荷:85nC

    输入电容:3.15nF

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF

    导通电阻:2Ω@10V,1A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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