品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€30W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9.3nC@10V
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:11A€3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N03L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:5.3nF@15V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:81pF@15V
导通电阻:2.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.8W€136W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1.925nF@30V
连续漏极电流:11.76A€89.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8870
工作温度:-55℃~+175℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.16nF@15V
连续漏极电流:21A€160A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@93μA
栅极电荷:79nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@5V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: