品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@5V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@10V,17A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP045N10A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.27nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,100A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@10V,17A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13897,"23+":895}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":209}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:211nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:300A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":209}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13897,"23+":895}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W€3.1W
阈值电压:3V@38μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH3632
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6nF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: