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    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订5个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订5个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订30个装
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订30个装

    品牌:SEMIQUARZ

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GP2T040A120H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:322W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3.192nF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订10个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订10个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订50个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订50个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订100个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订100个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订1个装
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订1个装

    品牌:SEMIQUARZ

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GP2T040A120H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:322W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3.192nF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订120个装
    SEMIQUARZ Mosfet场效应管 GP2T040A120H 起订120个装

    品牌:SEMIQUARZ

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GP2T040A120H

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:322W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3.192nF@1000V

    连续漏极电流:63A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@40A,20V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L080N120SC1 起订34个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L080N120SC1 起订34个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L080N120SC1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.75V@5mA

    栅极电荷:56nC@-5V/20V

    包装方式:管件

    输入电容:1.112nF@800V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:6.5pF@800V

    导通电阻:80mΩ@20V,20A

    漏源电压:1.2kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UF4C120070K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):UF4C120070K4S

    类型:1个N沟道

    功率:217W

    阈值电压:6V@10mA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:91mΩ@20A,12V

    漏源电压:1.2kV

    栅极电荷:37.8nC@15V

    输入电容:1.37nF@800V

    连续漏极电流:27.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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