采购热线 400-661-9010
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L080N120SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：170W
阈值电压：2.75V@5mA
栅极电荷：56nC@-5V/20V
包装方式：管件
输入电容：1.112nF@800V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6.5pF@800V
导通电阻：80mΩ@20V，20A
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
类型：1个N沟道
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
栅极电荷：37.8nC@15V
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
