品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@18V
包装方式:管件
输入电容:707pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4227PBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:46W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R083M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:104W
阈值电压:5.7V@3.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@18V
包装方式:管件
输入电容:624pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@11.2A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R072M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5.7V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@18V
包装方式:管件
输入电容:744pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@13.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:217W
阈值电压:5.5V@6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@18V
包装方式:管件
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@10A,18V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA26N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@13A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT26N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R120P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT4062KEC11
工作温度:175℃
功率:115W
阈值电压:4.8V@6.45mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1498pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:81mΩ@12A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K32-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3168pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11006PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1625pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":156,"20+":13600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7660-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1377pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R083M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:104W
阈值电压:5.7V@3.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@18V
包装方式:管件
输入电容:624pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@11.2A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":5967}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R120P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1544pF@400V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@8.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4227PBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:46W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: