品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:5950pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M17-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":75,"23+":50500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1624pF@50V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:26.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN025-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:129W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M17-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M22-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN025-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: