品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55XNEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:550mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF8309S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55XNEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:550mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":270000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2650T1E-E2-AT
功率:1.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1896,"14+":22250,"18+":71990}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS4930NTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:650mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3424
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1008pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8410DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:49mΩ@5.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: