品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":157,"07+":186927}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":307000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":388,"22+":1882}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:1.8V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:278pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1469DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W€2.78W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: