首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    连续漏极电流
    工作温度
    功率
    行业应用
    栅极电荷
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 2.7A
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SW-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    功率:490mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    输入电容:278pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    功率:490mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    输入电容:278pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2307

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订30000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订30000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2307

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2307

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3061SWQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3061SWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:278pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2307

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    阈值电压:2.3V@25μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    栅极电荷:1nC@4.5V

    类型:1个N沟道

    功率:1.3W

    输入电容:110pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:100mΩ@10V,2.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧