品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
功率:46W
包装方式:Reel
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
阈值电压:2V
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:140W
阈值电压:5.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:94mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:140W
阈值电压:5.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:94mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:140W
阈值电压:5.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:94mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:140W
阈值电压:5.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:94mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:140W
阈值电压:5.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:94mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:824pF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:33A
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:17mΩ@10V,10A
栅极电荷:7nC@5V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: