品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1186,"15+":3361,"16+":186672,"21+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8KA1TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH140P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8000pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8KA1TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8KA1TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8KA1TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1186,"15+":3361,"16+":186672,"21+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: