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    ECCN: EAR99
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 20V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
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    操作
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE8408_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR202NL6327HTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.147nF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:700pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV40UNR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV40UNR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:950mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":27098,"23+":4964,"24+":24985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
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