品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.147nF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:414pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV40UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":27098,"23+":4964,"24+":24985}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: