采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.147nF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：8289}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA620TT-E1-A
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2312A
功率：750mW
阈值电压：850mV@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.77A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：700pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2802T1L-E2-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.8nF@10V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2802T1L-E2-AY
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.8nF@10V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA410CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8408_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV40UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
