首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@6V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VNEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@6V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE 起订1000个装
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE 起订1000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7001 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.57nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3414UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:829.9pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX5008NBKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€2.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:29pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1012R-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.75nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R0UNX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R0UNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1696pF@10V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@11.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL 起订33个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL 起订33个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX5008NBKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€2.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:29pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3414UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:829.9pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧