采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€77W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：873957}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8780
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1440pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€77W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：873957}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8780
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1440pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€77W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€77W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€77W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：873957}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8780
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1440pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP35N04YLG-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：2850pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
功率：1W€77W
栅极电荷：51nC@10V
连续漏极电流：35A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2610pF@13V
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
功率：88W
连续漏极电流：35A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
