采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：42，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS8242TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：653pF@10V
连续漏极电流：9.9A€21A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@8.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6670pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2917}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP75N03R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€74.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：41A€298A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：828458}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4195}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ013NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@12V
连续漏极电流：32A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：29048，"23+"：5580}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€160W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7174pF@13V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：47A€310A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3950，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：41A€298A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@12V
连续漏极电流：39A€58A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC026NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@12V
连续漏极电流：24A€82A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@12V
连续漏极电流：22A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5250DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6115pF@13V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@12V
连续漏极电流：39A€58A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11894}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB23N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
