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    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT2N300P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT2N300P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT2N300P3HV

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:21Ω@1A,10V

    漏源电压:3000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC8002 起订1个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC8002 起订1个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC8002

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@32.5V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@500mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP2N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:655pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD3400N80Z 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD3400N80Z 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD3400N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS5U13TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS5U13TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020N06TL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-W 起订3173个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-W 起订3173个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS62934 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS62934 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS62934

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:236mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3746 起订38个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3746 起订38个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2609}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3746

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€110W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:托盘

    输入电容:380pF@30V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:13Ω@1A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJP020N06T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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