采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
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功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
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栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSS62934
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输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
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规格型号(MPN)：AOD2N60A
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功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
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规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
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栅极电荷：3.8nC@10V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
阈值电压：2.7V@250µA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：3.8nC@10V
导通电阻：140mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：250pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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