采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N60NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.7A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1142，"22+"：1651}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP04N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5454}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF4N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4.2Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.7A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR040N03HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR040N03HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT04N10B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80ZYD
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
