采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N60NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY4N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNXC7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：7V@450µA
栅极电荷：10.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI10526
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47.7mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3402-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN95R2K0P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.7A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3065LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60ZFP
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3402L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：464pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW4N150
工作温度：150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@2A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60ZFP
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
