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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 4A
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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

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    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订5000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订5000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

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    功率:74W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    连续漏极电流:4A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

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    功率:74W

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    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3512

    工作温度:-55℃~175℃

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    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3512

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    输入电容:509pF@15V

    ECCN:EAR99

    功率:3.7W

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3512

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:634pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

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    栅极电荷:5.1nC@4.5V

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    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:5.1nC@4.5V

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    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订50个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订50个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订17500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订17500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订2500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1 起订2500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订5个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订5个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3512 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3512

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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