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    ECCN
    类型
    连续漏极电流
    20A
    行业应用
    ECCN: EAR99
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 20A
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订894个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M42-60EX 起订894个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:508pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€65W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75329D3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75329D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1446-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118 起订716个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9675-55A,118 起订716个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":275969,"19+":10760,"MI+":8000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9675-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@10A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R107M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R107M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:5.7V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:496pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:142mΩ@8.9A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R104C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R104C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R104C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:122W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127 起订327个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127 起订327个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1000,"17+":1400,"18+":2080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP20NQ20T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订54个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订54个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":900,"23+":8659}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60-F109 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60-F109 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N06NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ110N06NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ110N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:4V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":306}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF20N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订573个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订573个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":721}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3707-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€25W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订1193个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ20N08S5L300ATMA1 起订1193个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":29882,"24+":8350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ20N08S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:599pF@40V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N03L27-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":2448,"08+":6022,"10+":2425,"MI+":6750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N03L27-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W€74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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