品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":81000,"22+":122500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@10V
连续漏极电流:29.7A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB15XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2875pF@6V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":750,"09+":18000,"10+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441BT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV100XPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2403
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@8A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN70XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"19+":152995,"21+":22495,"22+":107995,"23+":63000,"MI+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:556mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":115,"21+":9000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@6V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2AR
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€10W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:421pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7407
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4195pF@10V
连续漏极电流:14.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@14A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:627pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: