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    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订5682个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订5682个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":588000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G 起订627个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":685,"07+":255925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3101FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1 起订2693个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1 起订2693个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":2513,"05+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订962个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订962个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":9204,"04+":605775}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS2101PT1

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@6.4V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G 起订1479个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G 起订1479个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1882}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3433T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@5V

    连续漏极电流:2.35A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G 起订631个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G 起订631个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1163}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订2904个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订2904个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":66000,"MI+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:882pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC608PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC608PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN302P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN302P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:882pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441T1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:1.65A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4173PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4173PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA507PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA507PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@10V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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