首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    类型
    漏源电压
    20V
    行业应用
    栅极电荷
    72nC@4.5V 2.18nC@10V 26nC@10V 1.54nC@8V 20nC@4.5V 12nC@10V 38nC@10V 43.2nC@4.5V 125nC@10V 30nC@10V 118nC@10V 13nC@4.5V 4.1nC@4.5V 28nC@4.5V 5.2nC@4.5V 57nC@4.5V 9.6nC@4.5V 10.2nC@4.5V 14.4nC@4.5V 6.5nC@4.5V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 53nC@4.5V 21nC@4.5V 16nC@5V 19nC@4.5V 5.5nC@4.5V 6.4nC@4.5V 15nC@4.5V 12.8nC@4.5V 12nC@2.5V 10nC@4.5V 60nC@4.5V 103nC@10V 7.2nC@4.5V 56.9nC@10V 4.8nC@4.5V 15.7nC@4.5V 90nC@8V 23.1nC@4.5V 23nC@4.5V 4.7nC@4.5V 2.5nC@5V 42nC@5V 100nC@4.5V 87nC@10V 113nC@10V 12nC@4.5V 17nC@4.5V 260nC@10V 3.9nC@4.5V 39nC@4.5V 4.5nC@4.5V 4nC@4.5V 17.3nC@4.5V 156nC@10V 7.8nC@4.5V 183nC@10V 2.5nC@4.5V 34nC@4.5V 1.2nC@4.5V 10.4nC@4.5V 12.5nC@4.5V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 9.3nC@4.5V 6nC@4.5V 225nC@10V 10.1nC@4.5V 6.2nC@4.5V 8.6nC@4.5V 114nC@10V 85nC@10V 8nC@4.5V 3.1nC@4V 34.8nC@4.5V 5.4nC@10V 1.9nC@4.5V 35nC@4.5V 6.3nC@4.5V 19.5nC@4.5V 25nC@10V 3.1nC@4.5V 14.5nC@4.5V 4.4nC@4.5V 180nC@10V 2.9nC@4.5V 5nC@4.5V 22.1nC@4.5V 15.4nC@4.5V 20nC@10V 18nC@4.5V 30nC@8V 7.7nC@4.5V 23.4nC@4.5V 3.6nC@4.5V 29nC@4.5V 27nC@10V 5.3nC@4.5V 59nC@8V 30nC@5V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 177nC@10V 6.9nC@4.5V 10nC@10V 80nC@4.5V 27nC@4.5V 2.1nC@4.5V 5.6nC@4.5V 60nC@8V 6.6nC@4.5V 7.5nC@4.5V 21nC@8V 25nC@4.5V 130nC@4.5V 7.6nC@4.5V 7.3nC@4.5V 63nC@10V 56nC@4.5V 70nC@4.5V 625nC@10V 300nC@10V 1.3nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 96nC@10V 4.6nC@4.5V 1.6nC@4.5V 17.2nC@4.5V 3.5nC@4.5V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 6.8nC@4.5V 12nC@5V 44nC@8V 5.5nC@4V 7.8nC@10V 1.5nC@4.5V 190nC@10V 9.1nC@4.5V 3.6nC@4.45V 3.4nC@10V 24nC@10V 50nC@4.5V 2.3nC@4.5V 19.2nC@4.5V 181nC@10V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 110nC@10V 36nC@4.5V 1.7nC@4.5V 330nC@10V 182nC@5V 585nC@10V 15.5nC@4.5V 1.14nC@4.5V 33nC@8V 162nC@10V 4.3nC@4.5V 1.5nC@8V 31.1nC@8V 6.1nC@4.5V 4.9nC@4.5V 1.33nC@4.5V 12.4nC@5V 400nC@10V 36nC@8V 93.8nC@8V 91.8nC@4.5V 19nC@8V 7.4nC@4.5V 9.7nC@4.5V 3.3nC@4.5V 11.9nC@4.5V 120nC@4.5V 5.7nC@4.5V 23nC@8V 116nC@4.5V 24nC@4.5V 1.2nC@4V 50nC@5V 125nC@4.5V 20.5nC@4.5V 45nC@8V 60.2nC@10V 12.3nC@4.5V 168nC@8V 310nC@10V 65nC@5V 88nC@4.5V 7.7nC@4V 38.5nC@8V 24.8nC@4.5V 10.8nC@4.5V 0.622nC@4.5V 0.8nC@4.5V 0.62nC@4.5V 19.1nC@4.5V 0.4nC@4.5V 0.58nC@4.5V 0.5nC@4.5V 99nC@8V 180nC@8V 149nC@10V 0.5nC@4V 14.1nC@4.5V 61nC@4.5V 13nC@8V 16.6nC@4.5V 109nC@4.5V 0.86nC@4.5V 10.98nC@4.5V 26.7nC@4.5V 9.8nC@4.5V 43.5nC@5V 236nC@8V 23.5nC@4.5V 10.6nC@4.5V 0.959nC@4.5V 2.7nC@10V 62nC@8V 0.8nC@8V 0.91nC@4.5V 0.96nC@4.5V 0.91nC@10V 22.5nC@4.5V 29.9nC@4.5V
    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:5600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订12个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFW02009 起订12个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFW02009

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:P沟道

    导通电阻:640mΩ@550mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403DDY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403DDY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4403DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@10V

    连续漏极电流:15.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G 起订4348个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G 起订4348个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":78000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P 起订1276个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P 起订1276个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ193P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D0UFB-7B 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.5pF@10V

    连续漏极电流:770mA

    类型:P沟道

    导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7425TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7980pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2377EDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2377EDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2377EDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.7A€4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5.2A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG55P02A-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG55P02A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€38W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:149nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6358pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P 起订1649个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P 起订1649个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧