品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":342000,"11+":230970,"14+":243000,"15+":198000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2412-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":342000,"11+":230970,"14+":243000,"15+":198000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2412-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@200µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K41GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
导通电阻:21mΩ@8A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1240pF@30V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.7V@200µA
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K39GZETB
导通电阻:21mΩ@8A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1240pF@30V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.7V@200µA
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: