采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N7002KFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K11TCR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N24TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：145mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5270，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2408-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8602M-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：342000，"11+"：230970，"14+"：243000，"15+"：198000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PV，115
工作温度：150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1FRATR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2409-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：116490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KDW-TP
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PS，115
工作温度：150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N67NU，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：39.1mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138PS，115
工作温度：150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K1FRATR
工作温度：150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：77pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：238mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
