采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KWA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KWA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15000，"14+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA621TT-E1-A
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：15000，"14+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA621TT-E1-A
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KWA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KWA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004WK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
