采购热线 400-661-9010
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：散装
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：3000，"20+"：51000，"21+"：207295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6301N-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：600mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：15V
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：171000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V€150@100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA€500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€15V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：81000，"22+"：81000}
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：4.7
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：带盒（TB）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200 @ 1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：300mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：291426，"MI+"：2000}
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V€150@100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA€500mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€40V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2651，"21+"：5153，"22+"：10261}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：6000，"20+"：87000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：40V
特征频率：200MHz
功率：300mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA503T-T1-A
功率：300mW
阈值电压：2.5V@1μA
ECCN：EAR99
输入电容：17pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2个P沟道
导通电阻：60Ω@10mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA，500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V
特征频率：300MHz
功率：300mW
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L09FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：300mW
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：400mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：700mΩ@200MA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：200，"22+"：24000}
销售单位：个
最小输入电压(VI(on))：1.1V@2mA，0.3V
最大输入电压(VI(off))：800mV@100μA，5V
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.1
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
