销售单位：个

规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS

工作温度：-55℃~125℃

功率：300mW

阈值电压：1.5V@1µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：50mA

类型：N沟道

导通电阻：50Ω@1mA，10V

漏源电压：10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：2N-通道（双）

ECCN：EAR99

输入电容：10.5pF@5V

功率：300mW

栅源击穿电压：15V

栅源截止电压：300mV@100µA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：10mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002K

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.7nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：24.5pF@20V

连续漏极电流：320mA

类型：N沟道

导通电阻：1.6Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：散装

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：300mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：3000，"19+"：3000，"20+"：51000，"21+"：207295}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDG6301N-F085P

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：9.5pF@10V

连续漏极电流：220mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：4Ω@220mA，4.5V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：2925，"07+"：174000，"09+"：3000，"16+"：36000，"21+"：27000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV @ 2.5mA，50mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：600mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：15V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：171000}

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V€150@100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA€500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V€15V

功率：300mW

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：81000，"22+"：81000}

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4.9pF@5V

功率：300mW

栅源截止电压：600mV@10µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：16mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：2N-通道（双）

ECCN：EAR99

输入电容：10.5pF@5V

功率：300mW

栅源截止电压：300mV@100µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：16mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4.9pF@5V

功率：300mW

栅源截止电压：600mV@10µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：16mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：2N-通道（双）

ECCN：EAR99

输入电容：8pF@15V

功率：300mW

栅源击穿电压：50V

栅源截止电压：500mV@1nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：500µA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：带盒（TB）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：40V

特征频率：250MHz

功率：300mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.74nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：31.6pF@50V

连续漏极电流：190mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@150mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF170

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：3V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：500mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：0.8pF@15V

功率：300mW

栅源击穿电压：30V

工作温度：-55℃~135℃

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF170

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：3V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：500mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002A-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：2N-通道（双）

ECCN：EAR99

输入电容：8pF@15V

功率：300mW

栅源击穿电压：50V

栅源截止电压：500mV@1nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：500µA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：2N-通道（双）

ECCN：EAR99

输入电容：8pF@15V

功率：300mW

栅源击穿电压：50V

栅源截止电压：500mV@1nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：500µA@10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：291426，"MI+"：2000}

销售单位：个

包装方式：剪切带（CT）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V€150@100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA€500mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V€40V

功率：300mW

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2651，"21+"：5153，"22+"：10261}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDG6335N

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：1.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：113pF@10V

连续漏极电流：700mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：6000，"20+"：87000}

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1