销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):82@50mA,5V€100@1mA,5V
集电极电流(Ic):500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V€68@100mA,5V
集电极电流(Ic):100mA€500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):82@50mA,5V€100@1mA,5V
集电极电流(Ic):500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:47千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V€68@100mA,5V
集电极电流(Ic):100mA€500mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:300mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):82@50mA,5V€100@1mA,5V
集电极电流(Ic):500mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: