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    onsemi 结型场效应管 NSVJ5908DSG5T1G 起订2个装
    onsemi 结型场效应管 NSVJ5908DSG5T1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:10.5pF@5V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:15V

    栅源截止电压:300mV@100µA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:10mA@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6301N-F085P 起订2583个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6301N-F085P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST404 SOIC 8L-TR 起订1个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST404 SOIC 8L-TR 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:8pF@15V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:50V

    栅源截止电压:500mV@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:500µA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS123 起订15个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS123 起订15个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31.6pF@50V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@150mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002A-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002A-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST401 SOIC 8L 起订1个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST401 SOIC 8L 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:8pF@15V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:50V

    栅源截止电压:500mV@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:500µA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST401 SOIC 8L 起订1个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST401 SOIC 8L 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:8pF@15V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:50V

    栅源截止电压:500mV@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:500µA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N 起订1751个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST405 SOIC 8L ROHS 起订1个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST405 SOIC 8L ROHS 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:8pF@15V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:50V

    栅源截止电压:500mV@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:500µA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6322C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1 起订8013个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4001NT1 起订8013个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":2785,"05+":81180}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4001NT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:238mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST404 SOIC 8L-TR 起订100个装
    Linear Integrated Systems 结型场效应管 SST404 SOIC 8L-TR 起订100个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    销售单位:

    类型:2N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    输入电容:8pF@15V

    功率:300mW

    栅源击穿电压:50V

    栅源截止电压:500mV@1nA

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:500µA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订75000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订75000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA7002NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:154mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@154mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123Q-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123Q-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K 起订9个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K 起订9个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订18个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET7G 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.81nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8850NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG8850NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订9766个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA7002NT1G 起订9766个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":32446,"16+":5800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA7002NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@5V

    连续漏极电流:154mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7Ω@154mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG1024NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-13-F 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84Q-13-F 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84Q-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123-7-F 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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