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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO615NGXUMA1 起订774个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO615NGXUMA1 起订774个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO615NGXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO615NGXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L070ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA1759G-E1-AT 起订631个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA1759G-E1-AT 起订631个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":1986}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA1759G-E1-AT

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:190pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6K30TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6K30TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6K30TCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:153mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2054-T1-AZ 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2054-T1-AZ 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2054-T1-AZ

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7A€18.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6023LE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6023LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2569pF@30V

    连续漏极电流:7A€18.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L070ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4612 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:4.5A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:56mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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