采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2720000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6602R-A-TR
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA3TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA3TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K347R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：86pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@1A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N67NU，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：39.1mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP162A12A6PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP162A12A6PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP121TU
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：5A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6K30TCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：153mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L045GNGZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J62TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP162A12A6PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8K11TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：7A€11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17.9mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
