品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3145N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@100mA,0V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21311C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":9204,"04+":605775}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS2101PT1
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@6.4V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2163pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPbF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0040TRPbF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@3.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:87mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6401TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPbF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCV48,115
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):500mA
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:220MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: