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    ECCN: EAR99
    功率: 1.3W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:900+
    商品信息
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    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3145N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:60Ω@100mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8656-TL-H 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8656-TL-H 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8656-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS21311C 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5402T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订962个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS2101PT1 起订962个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":9204,"04+":605775}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS2101PT1

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@6.4V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPbF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPbF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML9301TRPbF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.4V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPbF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPbF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0040TRPbF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3407-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3407-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:87mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.4V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC3A01T8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC3A01T8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V€204pF@15V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6401TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6401TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:830pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4501NT1 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4501NT1 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4501NT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:462pF@24V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPbF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML9301TRPbF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML9301TRPbF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.4V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:388pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 达林顿管 BCV48,115 起订500个装
    NEXPERIA 达林顿管 BCV48,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):BCV48,115

    集射极击穿电压(Vceo):60V

    集电极电流(Ic):500mA

    功率:1.3W

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    特征频率:220MHz

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@100µA,100mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6402TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6402TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:633pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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