品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KE-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA€330mA
类型:N和P沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139KEA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.86nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N16FE,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.3pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZE002P02TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KDW-TP
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@650mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3139K-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@16V
连续漏极电流:660mA
类型:P沟道
导通电阻:950mΩ@500mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L35FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@3V
连续漏极电流:180mA€100mA
类型:N和P沟道
导通电阻:3Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D6UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C001UNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.1pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM002P02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V€100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:1.1Ω@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: