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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
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功率：1.1W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
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栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
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功率：1.1W
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栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
连续漏极电流：8A
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1.1W
输入电容：2.06nF@20V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
导通电阻：41mΩ@5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：5A
输入电容：920pF@20V
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1.1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
功率：1.1W
输入电容：195pF@20V
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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