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    ECCN: EAR99
    功率: 1.1W
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    当前匹配商品:60+
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    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8JB5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@20V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

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    功率:1.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

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    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订10个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8JB5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@20V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

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    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订10个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

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    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8JB5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@20V

    连续漏极电流:5A

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8JB5TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8JB5TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@20V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A57E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,15V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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